Optimization of Write Performance
MMC/SDC ใช้ NAND Flash Memory เป็น a memory array. The NAND flash memory คุ้มค่าและมันสามารถอ่าน/เขียน large chunk of data อยางรวดเร็ว, แต่ในทางกลับกัน มีข้อเสียคือการเขียนส่วนเล็ก ๆ น้อย ๆ ของ data ใหม่จะไม่มีประสิทธิภาพ. โดยทั่วไป the flash memory ต้องการลบ existing data ก่อนที่จะเขียนใหม่ a new data, และ minimum unit of erase operation, ที่เรียกว่า erase block, จะใหญ่กว่า write block size. The typical NAND flash memory มี a block size of 512/16K bytes สำหรับ write/erase operation, และการ์ดล่าสุดที่มีขนาดเกิน 128MB จะใช้ large block chip (2K/128K). ซึ่งหมายความว่าจะเขียนข้อมูลทั้งหมดใน the erase block ใหม่ ถูกทำในการ์ดแม้ว่าจะเขียนเพียงเซกเตอร์ (512 ไบต์).